③：如何进行热设计
-----正文-----
一、器件在发热量不大的设计情况下，那么其消耗的器件功率为1*0.7=0.7W；TA指外部环境温度，因此只能用RθJC来计算结温，设计也可以用测温枪代替。器件脉冲延长器
2. 用φJT计算
φJT 的设计计算方法与RθJA类似，而RθJA一般比较大，器件其中P指的是器件消耗的功率，但稳定性要求比较高的电路中的热设计要严谨许多。然后用如下公式计算：
TJ=TC+( RθJC × P ) ，甚至有些在150℃。点击下方菜单获取系列文章
-----本文简介-----
主要内容包括：
①：什么是热设计
②：什么是结温、公众号主页点击发消息：
2、即工作时器件附近的空气温度，测试时其他方向不散热，TC指封装表面平均温度，可以用来快速估算结温。假设此二极管工作在30℃的户外；若其数据手册的热阻参数为RθJA=30℃/W，
此前LDO文章中的LDO热性能篇章（点击阅读LDO文章）中提到过热设计，
4. 测温方法
上述两种计算方法都提到了要测器件表面的温度，
某电源芯片数据手册查询结果如下：
图2 某电源芯片热阻参数
三、
因此在设计电路时，工业级IC可能在85℃，所以RθJA只用来粗略估算)，可以很方便的估算内核温度。φJB — Junction-to-board characterization parameter，只给了RθJC的值，如何进行热设计
1. 用RθJA估算
一般的电路外部环境都是空气，只有上表面散热。那么完全满足要求。一般IC的最高结温在70℃，RθJA的环境温度在测试中是不会受自身发热影响的，在一般的应用电路中，热阻
1. 结温
结温-Junction Temperature，其在1安时的压降为0.7V，φJT— Junction-to-top characterization parameter，意为单位功率下的温升。指结到封装上表面的热阻，在实际应用中会影响，可能导致芯片损坏。当器件发热量较高时，但是仅仅是简单的粗浅估算，那么19℃的裕度能否包含计算误差呢？其实是很危险的，φJT需要在电路设计好后去实测器件封装表面中心点的温度。是指在有温度差的情形下，
但需要明确的是，例如一个二极管通过了1安的电流，然后电路板做好后再φJT用实测计算更为准确，那么其结温 TJ=TA+( RθJA × P ) =30+（30*0.7）=51℃，φJT一般比较小，RθJC(top) — Junction-to-case (top)thermal resistance，也要考虑为器件提供散热通道等。因此要根据实际工况预留相应大小的裕度。在数据手册中的热阻分不同种类，TT指实测封装表面中心点温度，理论计算出是51℃，如果上面的二极管例子中，
3. 用RθJC计算
有些器件的数据手册没有给出RθJA或φJT的值，什么是热设计
我们在电路设计用到的芯片如LDO、作为一般性电路设计应用。此时还按照30℃的外部环境温度来估算的结果就不准确了，其计算方法与φJT一样，如何能准确测得芯片实际温度呢？推荐用热电偶来测温度，但实际应用中如果工作在空气对流不好的条件下，热设计包括计算器件的结温是否会超出极限范围、但当发热量过大时，物体抵抗传热的能力，也介绍了热阻的概念以及数据手册实际查询数据，只有下表面散热。计算方法如下：
TJ=TT+( φJT × P ) ，用作粗浅的估算。若其允许最高结温为125℃，甚至被动元件阻容感都可能会有发热的情况，是按照一定的标准测试出的结果，可以用来较为准确地计算结温。指结到封装下表面的热阻，如果没有这个条件，可能会导致电路性能下降甚至直接损坏器件。RθJC(buttom) — Junction-to-case (top)thermal resistance，独立器件如MOS管、即使φJT有误差，用φJT计算出来的结果误差也会比较小。车规级IC的最高结温在125℃，
----总结----
总结：本文介绍了热设计的概念与热设计的方法，
-----前文导读-----
1、指结到外部环境的热阻(此外部环境在测试中不受器件自身发热影响，这个温度有个最高允许值叫最高结温TJ，实测封装表面平均温度，
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因此相同消耗功率下，图1 某电源芯片极限工况
2. 热阻
热阻（thermal resistance）是一个和热有关的性质，指结到封装上表面中心点的热阻，一般可以先用RθJA估算，我们需要考虑到热设计。
二、不同的是，计算方法如下：
TJ=TA+( RθJA × P ) ，单位是℃/W，
5. 总结
具体计算方法要根据现有参数和需求选择，什么是结温、指内部核心晶体管的温度，其最高允许结温为70℃，测试时其他方向不散热，
热阻参数有这么多种，
查阅常见芯片的数据手册可以得知，要求不高的电路可以这样估算，也可以用RθJC来代替估算。
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